Erweiterung des NextPower 80/100 V MOSFETs Portfolio von Nexperia bietet mehr Designflexibilit?t
八月 06, 2024Nimwegen -- Optimiert für niedrigen RDSon, geringe Spannungsspitzen und hohe Effizienz bei Schaltungsanwendungen.
Nexperia gab heute bekannt, die NextPower MOSFET-Reihe mit mehreren neuen LFPAK-Gehäusen in den Standardabmessungen 5 x 6 mm und 8 x 8 mm zu erweitern. Diese neuen NextPower 80/100 V MOSFETs sind für einen niedrigen (RDSon) und einen niedrigen Qrr optimiert. Dadurch erzielen sie einen hohen Wirkungsgrad und niedrige Spikes in Anwendungen wie Servern, Stromversorgungen, Schnellladegeräten und USB-PD sowie Telekommunikations-, Motorsteuerungs- und anderen industriellen Geräten. Entwickler können aus einer Reihe von 80-V- und 100-V-Bauelementen mit (RDSon) von 1,8 mΩ bis 15 mΩ wählen.
Viele MOSFET-Hersteller konzentrieren sich beim Benchmarking der Schaltleistung ihrer Bauelemente auf eine hohe Effizienz durch niedrige QG(tot) und niedrige QGD. Nexperia hat jedoch durch umfangreiche Analysen festgestellt, dass Qrr aufgrund des Einflusses auf Spiking, und damit auf die Menge der beim Schalten erzeugten elektromagnetischen Störungen (EMI), genauso wichtig ist. Durch die Fokussierung auf diesen Parameter konnte Nexperia das Niveau der von seinen NextPower 80/100 V MOSFETs erzeugten Spikes und damit auch der von ihnen erzeugten EMI erheblich reduzieren. Für die Anwender ergeben sich daraus erhebliche Vorteile. So verringert sich die Wahrscheinlichkeit eines kostspieligen Re-Designs mit zusätzlichen externen Komponenten, wenn die Anwendung die Tests zur elektromagnetischen Verträglichkeit (EMV) nicht besteht.
Der Einschaltwiderstand (RDSon) dieser neuen MOSFETs wurde im Vergleich zu derzeit erhältlichen Geräten um bis zu 31 % reduziert. Außerdem wird Nexperia im Laufe des Jahres das NextPower 80/100 V Portfolio mit einem LFPAK88-MOSFET – mit RDS(on) bis zu 1,2 mΩ bei 80 V – weiter ausbauen und darüber hinaus den leistungsdichten CCPAK1212 in das Portfolio aufnehmen. Design-in und Qualifizierung dieser Bauelemente werden darüber hinaus durch Nexperias preisgekrönte interaktive Datenblätter unterstützt, die den Ingenieuren einen umfassenden und benutzerfreundlichen Einblick in das Verhalten der Bauelemente geben.
Weitere Informationen über das Portfolio mit NextPower 80-V-/100-V-MOSFETs von Nexperia finden Sie unter: https://www.nexperia.com/products/mosfets/family/nextpower-80-100v-mosfets#/p=1,s=0,f=,c=,rpp=,fs=0,sc=,so=,es=
über Nexperia
Nexperia ist ein globales Halbleiterunternehmen mit Hauptsitz in den Niederlanden, über 14.000 Mitarbeiterinnen und Mitarbeitern in Europa, Asien und den Vereinigten Staaten und einer langjährigen europäischen Geschichte. Als führender Experte in der Entwicklung und Produktion vonessentiellen Halbleitern ermöglichen die Komponenten von Nexperia die Basisfunktionen von praktisch jedem elektronischen Design auf der Welt. Diese finden sich in der Automobil- und Industrieelektronik aber auch in Mobil- und Verbraucheranwendungen.
Mit über 100 Milliarden ausgelieferten Produkten pro Jahr bedient das Unternehmen einen weltweiten Kundenstamm. Diese Produkte gelten als Maßstab für Effizienz hinsichtlich Herstellung, Größe, Stromverbrauch und Leistung. Das Bekenntnis von Nexperia zu Innovation, Effizienz, Nachhaltigkeit und strengen Industrieanforderungen zeigt sich in seinem umfangreichen IP-Portfolio, sowie der wachsenden Produktpalette und seiner Zertifizierung nach den Normen IATF 16949, ISO 9001, ISO 14001 und ISO 45001.
Pressekontakt:
Nexperia
Anne Proch
Tel: +49 160 916 884 18
E-Mail: anne.proch@nexperia.com
Publitek
Megan King
Tel: +44 7855060775
E-Mail: megan.king@publitek.com