Nexperia bietet jetzt automotive-qualifizierte 1200 V SiC MOSFETs im D2PAK-7-Geh?use an
五月 06, 2025Nijmegen -- AEC-Q101-zertifizierte SMD-Bauteile kombinieren hohe thermische Stabilit?t mit Oberfl?chenmontage
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Nexperia bringt heute eine Produktreihe besonders effizienter und robuster Siliziumkarbid (SiC) MOSFETs mit AEC-Q101-Qualifikation heraus. Die Bauteile mit RDS(on)-Werten von 30, 40 und 60 mΩ (NSF030120D7A0-Q, NSF040120D7A1-Q, NSF060120D7A0-Q) bieten eine branchenführende Temperaturstabilität. Sie waren zuvor bereits in Industriequalität erhältlich und wurden nun für den Einsatz im Automobilbereich zertifiziert. Damit eignen sie sich ideal für Anwendungen wie Onboard-Ladegeräte (OBC) und Traktionswechselrichter in Elektrofahrzeugen (EV) sowie für DC-DC-Wandler und Klima- und Heizsysteme (HVAC). Die Bauteile sind im beliebten oberflächenmontierbaren D2PAK-7-Gehäuse untergebracht, das sich im Vergleich zu Bauteilen in Durchstecktechnik (THT) besser für automatisierte Fertigungsprozesse eignet.
Der RDS(on)-Wert ist aufgrund seiner Auswirkungen auf Durchlassverluste ein effizienzbestimmender Parameter. Der Nennwert allein vernachlässigt jedoch, dass der Einschaltwiderstand mit steigender Betriebstemperatur um mehr als 100?% ansteigen kann – mit entsprechend höheren Leitungsverlusten. Die Temperaturstabilität ist insbesondere bei SMD-Gehäusen kritisch, da die Kühlung über die Leiterplatte erfolgt – anders als bei THT-Technologie. Nexperia hat diesen Umstand als limitierenden Faktor erkannt und gezielt mit innovativer Prozesstechnologie gezielt eine branchenführende Temperaturstabilität erreicht. So steigt der RDS(on)-Wert bei den neuen SiC MOSFETs über den gesamten Temperaturbereich von 25?°C bis 175?°C lediglich um 38?%. Diese Eigenschaft ermöglicht es Kunden, höhere Ausgangsleistungen mit einem größeren Nennwert bei 25?°C zu erzielen – und das ohne Leistungseinbußen im Vergleich zu Wettbewerbsprodukten.
„Dank dieser Eigenschaft lässt sich mit den SiC MOSFETs von Nexperia eine höhere Leistung erzielen als mit vergleichbaren Bauteilen anderer Anbieter – und das bei klarem Kostenvorteil auf Produktebene“, erklärt Edoardo Merli, SVP und Leiter der Business Group Wide Bandgap, IGBT & Modules (WIM). „Hinzu kommen reduzierte Anforderungen an das Kühlsystem, kompaktere passive Bauteile und höhere Effizienz – all das bietet Kunden mehr Freiheiten im Design und senkt die Systemkosten. Wir freuen uns besonders, dass diese Produkte nun für den Automotive-Markt verfügbar sind, wo ihre Leistungsvorteile in der nächsten Fahrzeuggeneration wirklich etwas bewegen können.“
Nexperia plant im Laufe des Jahres 2025 die Einführung weiterer automobilqualifizierter SiC MOSFETs mit RDS(on)-Werten von 17?mΩ und 80?mΩ.
Weitere Informationen zu den Siliziumkarbid-MOSFETs von Nexperia finden Sie unter: www.nexperia.com/sic-mosfets
über Nexperia
Nexperia ist ein globales Halbleiterunternehmen mit Hauptsitz in den Niederlanden, über 12.500 Mitarbeiterinnen und Mitarbeitern in Europa, Asien und den Vereinigten Staaten und einer langjährigen europäischen Geschichte. Als führender Experte entwickelt und produziert Nexperia essentielle Halbleiter, Komponenten, welche die Basisfunktionen von praktisch jedem kommerziellen elektronischen Design auf der Welt ermöglichen. Diese finden sich in der Automobil- und Industrieelektronik aber auch in Mobil- und Verbraucheranwendungen.
Mit über 100 Milliarden ausgelieferten Bauteilen pro Jahr bedient das Unternehmen einen weltweiten Kundenstamm. Diese Produkte gelten als Maßstab für Effizienz hinsichtlich Herstellung, Größe, Stromverbrauch und Leistung. Das Bekenntnis von Nexperia zu Innovation, Effizienz, Nachhaltigkeit und strengen Industrieanforderungen zeigt sich im umfangreichen IP-Portfolio, sowie der wachsenden Produktpalette und Zertifizierung nach den Normen IATF 16949, ISO 9001, ISO 14001 und ISO 45001.
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