Nexperia位于曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)啟動(dòng)，首批產(chǎn)品為行業(yè)領(lǐng)先的Qrr品質(zhì)因數(shù)80 V/100 V MOSFET
六月 24, 2021奈梅亨 -- 新生產(chǎn)線(xiàn)提高了產(chǎn)能，力求滿(mǎn)足及時(shí)供應(yīng)
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今日宣布，位于英國(guó)曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)啟動(dòng)，首批產(chǎn)品使用最新的NextPower芯片技術(shù)的低RDS(on)和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET。新生產(chǎn)線(xiàn)將立即擴(kuò)大Nexperia的產(chǎn)能，新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件將具有行業(yè)內(nèi)極低的Qrr品質(zhì)因數(shù)(RDS(on) x Qrr)。
Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Mike Becker指出：“鑒于全球半導(dǎo)體短缺的情況下，Nexperia積極投資全球制造工廠(chǎng)以提高產(chǎn)能，包括曼徹斯特和菲律賓的MOSFET生產(chǎn)設(shè)備，這對(duì)買(mǎi)方來(lái)講一個(gè)好消息。新型MOSFET的性能也令設(shè)計(jì)人員感到興奮。這些MOSFET非常適合各種開(kāi)關(guān)應(yīng)用，也可以替代其他供應(yīng)商的產(chǎn)品。”
NextPower 80 V和100 V芯片MOSFET可以顯著降低RDS(on)，前一代100 V器件為7 m?，而新器件只有4.3 m?，效率大大提高。對(duì)于100 V器件，NextPower技術(shù)還提供44 nC的極低Qrr，有效降低了尖峰值和EMI干擾。總體而言，100 V器件的Qrr品質(zhì)因數(shù)平均比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手同類(lèi)產(chǎn)品低61%。
新的80 V和100 V MOSFET采用具有高熱性能和電氣性能的Nexperia LFPAK56E銅夾片技術(shù)封裝。器件廣泛適用于開(kāi)關(guān)應(yīng)用，包括AC/DC、DC/DC和電機(jī)控制等。
有關(guān)更多信息，包括產(chǎn)品規(guī)范和數(shù)據(jù)手冊(cè)，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)www.nexperia.com/products/mosfets/family/NEXTPOWER-80-100V-MOSFETS
關(guān)于Nexperia
Nexperia，作為生產(chǎn)大批量基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的專(zhuān)家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類(lèi)電子設(shè)計(jì)。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年可交付900多億件產(chǎn)品，產(chǎn)品符合汽車(chē)行業(yè)的嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)。其產(chǎn)品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面獲得行業(yè)廣泛認(rèn)可，擁有先進(jìn)的小尺寸封裝技術(shù)，可有效節(jié)省功耗及空間。
憑借幾十年來(lái)的專(zhuān)業(yè)經(jīng)驗(yàn)，Nexperia持續(xù)不斷地為全球各地的優(yōu)質(zhì)企業(yè)提供高效的產(chǎn)品及服務(wù)，并在亞洲、歐洲和美國(guó)擁有超過(guò)12,000名員工。Nexperia是聞泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司，擁有龐大的知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001認(rèn)證。
Nexperia：效率致勝。
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