基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia，今日宣布將于9月21日至23日舉辦‘Power Live’，這是其第二次舉辦此年度虛擬會(huì)議。鑒于去年首屆活動(dòng)取得圓滿成功，本屆為期三天的活動(dòng)將擴(kuò)大規(guī)模，涵蓋與功率電子元件相關(guān)的眾多主題，包括面向汽車和工業(yè)應(yīng)用的GaN、MOSFET、功率二極管和雙極性晶體管。

會(huì)議重點(diǎn)將包括：

• MOSFET全電熱模型

  Nexperia新款MOSFET電熱模型的詳細(xì)預(yù)覽，該模型可以在仿真中準(zhǔn)確呈現(xiàn)器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性，并降低在設(shè)計(jì)過程后期發(fā)現(xiàn)EMC問題的風(fēng)險(xiǎn)。

• 650V CCPAK貼片封裝氮化鎵器件評(píng)估

  行業(yè)領(lǐng)先的CCPAK封裝氮化鎵器件的評(píng)估板即將推出，便于使用雙脈沖測試評(píng)估其特性和優(yōu)勢。

• 功率MOSFET在工業(yè)應(yīng)用中的設(shè)計(jì)

  無論出于什么原因、什么時(shí)間需要一路500 A的MOSFET，它都需要能優(yōu)化關(guān)鍵特性并管理涌入電流和熱SOA曲線。

• 肖特基整流器、鍺化硅整流器或恢復(fù)(PN)整流器？

  如何通過選擇最合適的功率二極管，在LED驅(qū)動(dòng)器或電磁閥驅(qū)動(dòng)器等汽車應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)出色的效率和可靠性。

整個(gè)議程將包括現(xiàn)場演示，邀請(qǐng)工程師討論當(dāng)今使用功率器件進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)面臨的最大挑戰(zhàn)，同時(shí)還會(huì)展示Nexperia重要合作伙伴的案例研究和貢獻(xiàn)。在活動(dòng)期間，參會(huì)者還可以觀看Nexperia資深功率專家直接從公司全球?qū)嶒?yàn)室為大家?guī)淼淖钚录夹g(shù)演示。

此次‘Power Live’活動(dòng)將于9月23日（星期四）結(jié)束，由Nexperia和行業(yè)專家共同參與的GaN小組討論將是最后一場活動(dòng)。這將是一場針對(duì)探討對(duì)技術(shù)和市場想法及影響的開放式論壇，非常歡迎與會(huì)者的傾情貢獻(xiàn)。

Nexperia全球營銷主管Robby Ferdinandus針對(duì)‘Power Live’評(píng)論道：“去年我們第一次舉辦活動(dòng)時(shí)得到了非常棒的反饋。超過700多名工程師注冊參加，并且許多人表示能與現(xiàn)場會(huì)議中志同道合的伙伴交流，討論常見的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，這種體驗(yàn)十分寶貴。”

完整的活動(dòng)日程現(xiàn)已發(fā)布。可以使用注冊頁面上的表格提交咨詢有關(guān)GaN小組討論會(huì)的問題。請(qǐng)點(diǎn)擊在此處免費(fèi)注冊。

關(guān)于Nexperia

Nexperia，作為生產(chǎn)大批量基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的專家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計(jì)。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年可交付900多億件產(chǎn)品，產(chǎn)品符合汽車行業(yè)的嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)。其產(chǎn)品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面獲得行業(yè)廣泛認(rèn)可，擁有先進(jìn)的小尺寸封裝技術(shù)，可有效節(jié)省功耗及空間。

憑借幾十年來的專業(yè)經(jīng)驗(yàn)，Nexperia持續(xù)不斷地為全球各地的優(yōu)質(zhì)企業(yè)提供高效的產(chǎn)品及服務(wù)，并在亞洲、歐洲和美國擁有超過12,000名員工。Nexperia是聞泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司，擁有龐大的知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001認(rèn)證。

Nexperia：效率致勝。

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