種類繁多的雙極晶體管助您輕松滿足系統(tǒng)需求。產(chǎn)品線涵蓋基礎(chǔ)雙極晶體管模塊，以及一系列節(jié)省空間和成本的帶電阻晶體管，直至我們突破性的小信號(hào)系列低壓降電壓器件。
我們豐富的二極管產(chǎn)品組合為您提供當(dāng)今市場所需的靈活性——無論是簡單的齊納二極管、高效的肖特基整流器、快速恢復(fù)二極管還是可控雪崩開關(guān)二極管。
涵蓋靜電放電保護(hù)、瞬態(tài)電壓抑制器件、共模扼流圈及電磁干擾濾波器，Nexperia的保護(hù)技術(shù)持續(xù)升級(jí)，在業(yè)界最小封裝中提供最高級(jí)別的防護(hù)。
Nexperia提供種類豐富的低/中壓（12-200 V）P溝道和N溝道硅MOSFET產(chǎn)品組合，采用多種節(jié)省空間且高效的封裝方案。
Nexperia的1200V碳化硅（SiC）MOSFET重新定義了安全、穩(wěn)健且可靠的電源開關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，成為電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施、光伏逆變器及電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域的首選產(chǎn)品。
針對(duì)各類高壓（650 V）和低壓（40-150 V）應(yīng)用場景，Nexperia氮化鎵場效應(yīng)晶體管憑借更低的導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗，實(shí)現(xiàn)了最快速的過渡/開關(guān)能力、最佳的功率效率以及更高的功率密度。
為滿足高效高壓電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)日益增長的需求，Nexperia的IGBT采用堅(jiān)固且經(jīng)濟(jì)高效的載流子存儲(chǔ)溝槽柵極（CSTBT）先進(jìn)場截止（FS）結(jié)構(gòu)。
除全面的邏輯功能、模擬開關(guān)和I2C接口產(chǎn)品組合外，Nexperia還提供日益豐富的功率IC產(chǎn)品線，助力打造創(chuàng)新解決方案，專注于降低客戶物料清單成本，提升系統(tǒng)效率與可靠性。
為助力實(shí)現(xiàn)互聯(lián)電動(dòng)及混合動(dòng)力車輛，Nexperia半導(dǎo)體提供全系列符合AEC-Q100/Q101認(rèn)證的器件，涵蓋我們完整的產(chǎn)品組合，這些產(chǎn)品兼具高效能與高效設(shè)計(jì)特性。
Bare die product; 1.45 mm × 1.45 mm × 0.11 mm die size
| 封裝版本 | 封裝名稱 | 封裝說明 | 參考 | 發(fā)行日期 |
|---|---|---|---|---|
| Bare die | Bare die product; 1.45 mm × 1.45 mm × 0.11 mm die size | 2024-12-30 |
| 文件名稱 | 標(biāo)題 | 類型 | 日期 |
|---|---|---|---|
| PSC1065B1 | 650 V, 10 A SiC Schottky diode in bare die | Data sheet | 2025-01-09 |