產(chǎn)品

所有產(chǎn)品

探索Nexperia豐富的核心半導(dǎo)體產(chǎn)品組合，這些產(chǎn)品為全球幾乎所有商用電子設(shè)計的基礎(chǔ)功能提供支持——涵蓋汽車、工業(yè)、移動及消費類應(yīng)用領(lǐng)域。

所有產(chǎn)品

雙極性晶體管

種類繁多的雙極晶體管助您輕松滿足系統(tǒng)需求。產(chǎn)品線涵蓋基礎(chǔ)雙極晶體管模塊，以及一系列節(jié)省空間和成本的帶電阻晶體管，直至我們突破性的小信號系列低壓降電壓器件。

二極管

我們豐富的二極管產(chǎn)品組合為您提供當(dāng)今市場所需的靈活性——無論是簡單的齊納二極管、高效的肖特基整流器、快速恢復(fù)二極管還是可控雪崩開關(guān)二極管。

ESD保護、TVS、信號調(diào)節(jié)

涵蓋靜電放電保護、瞬態(tài)電壓抑制器件、共模扼流圈及電磁干擾濾波器，Nexperia的保護技術(shù)持續(xù)升級，在業(yè)界最小封裝中提供最高級別的防護。

MOSFET

Nexperia提供種類豐富的低/中壓（12-200 V）P溝道和N溝道硅MOSFET產(chǎn)品組合，采用多種節(jié)省空間且高效的封裝方案。

SiC MOSFETs

Nexperia的1200V碳化硅（SiC）MOSFET重新定義了安全、穩(wěn)健且可靠的電源開關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，成為電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施、光伏逆變器及電機驅(qū)動領(lǐng)域的首選產(chǎn)品。
- 1200 V SiC MOSFETs

氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)

針對各類高壓（650 V）和低壓（40-150 V）應(yīng)用場景，Nexperia氮化鎵場效應(yīng)晶體管憑借更低的導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗，實現(xiàn)了最快速的過渡/開關(guān)能力、最佳的功率效率以及更高的功率密度。

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

為滿足高效高壓電源轉(zhuǎn)換和電機驅(qū)動日益增長的需求，Nexperia的IGBT采用堅固且經(jīng)濟高效的載流子存儲溝槽柵極（CSTBT）先進場截止（FS）結(jié)構(gòu)。
- 650 / 1200 V discrete IGBTs

模擬和邏輯IC

除全面的邏輯功能、模擬開關(guān)和I2C接口產(chǎn)品組合外，Nexperia還提供日益豐富的功率IC產(chǎn)品線，助力打造創(chuàng)新解決方案，專注于降低客戶物料清單成本，提升系統(tǒng)效率與可靠性。

汽車

為助力實現(xiàn)互聯(lián)電動及混合動力車輛，Nexperia半導(dǎo)體提供全系列符合AEC-Q100/Q101認證的器件，涵蓋我們完整的產(chǎn)品組合，這些產(chǎn)品兼具高效能與高效設(shè)計特性。

應(yīng)用

所有應(yīng)用

秉承創(chuàng)新與可持續(xù)發(fā)展的理念，我們的組件在效率方面樹立了行業(yè)標(biāo)桿，助力全球客戶為世界各地幾乎所有商用電子設(shè)計開發(fā)節(jié)能高效的尖端解決方案

所有應(yīng)用

汽車

當(dāng)今汽車正經(jīng)歷著該行業(yè)有史以來最重大的變革。持續(xù)推進的電氣化進程正引發(fā)從動力總成到云端系統(tǒng)的深刻變革，越來越多的電子功能被引入以提升安全性和舒適性。

工業(yè)和電力

從工業(yè)自動化到可再生能源及電動出行解決方案，Nexperia憑借久經(jīng)考驗的品質(zhì)、穩(wěn)定的大規(guī)模供應(yīng)、終身可靠性與產(chǎn)品長壽命特性，助力工業(yè)持續(xù)運轉(zhuǎn)。

移動和可穿戴應(yīng)用

智能手機已牢牢扎根于我們的生活——它們是獲取信息、社交聯(lián)絡(luò)、娛樂消遣以及銀行服務(wù)到卡路里計算等全方位服務(wù)的不可或缺工具。但要實現(xiàn)這些功能，手機需要采用占用電路板空間小、能延長電池續(xù)航時間并支持復(fù)雜功能的組件。

計算和消費電子

當(dāng)我們想到計算和消費類應(yīng)用時，往往會聯(lián)想到筆記本電腦和洗衣機。然而當(dāng)今的應(yīng)用已催生出一大批創(chuàng)新產(chǎn)品——從掃地機器人到自動充電遙控器。

子系統(tǒng)：電源轉(zhuǎn)換拓撲結(jié)構(gòu)

幾乎所有電子設(shè)備都依賴某種形式的電源轉(zhuǎn)換。無論是將交流電網(wǎng)電源轉(zhuǎn)換為直流電源軌，提升直流電池電壓，還是簡單地處理當(dāng)今電子系統(tǒng)中日益多樣化的電源軌。

子系統(tǒng)

任何復(fù)雜系統(tǒng)均可分解為若干子系統(tǒng)，這些子系統(tǒng)可應(yīng)用于眾多領(lǐng)域。從電機驅(qū)動器和電源裝置到用于穩(wěn)定驅(qū)動LED燈串的恒流源，這些子系統(tǒng)之間的唯一區(qū)別在于其規(guī)格參數(shù)和整體效率。

參考設(shè)計

探索我們豐富的Nexperia參考設(shè)計及第三方評估板與參考設(shè)計系列。這些解決方案采用最先進的半導(dǎo)體技術(shù)，提供完整的系統(tǒng)、子系統(tǒng)及專業(yè)功能，可無縫集成至您的項目中。

全部參考設(shè)計

評估板

深入了解我們的產(chǎn)品如何為您的應(yīng)用帶來益處——無論是優(yōu)化效率、增強穩(wěn)健性還是提升可靠性，只需親自嘗試我們?nèi)娴脑u估板系列即可。

全部評估板

交互式應(yīng)用說明

Nexperia交互式應(yīng)用說明采用PartQuest Explore仿真技術(shù)，將傳統(tǒng)書面應(yīng)用說明賦予生動呈現(xiàn)。通過嵌入式仿真技術(shù)，為各類電源設(shè)計與拓撲結(jié)構(gòu)提供指導(dǎo)方案，顯著提升用戶體驗。

進階輔助工具

Nexperia不僅致力于開發(fā)高性能功率產(chǎn)品和創(chuàng)新功率技術(shù)，更致力于打造最先進的工具，為設(shè)計工程師提供知識、學(xué)習(xí)資源和技術(shù)支持。

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Products

Automotive qualified products (AEC-Q100/Q101)

型號	描述	狀態(tài)	快速訪問
BUK7K12-60E	Dual N-channel 60 V, 9.3 mOhm standard level MOSFET	Production	在線購買樣品
BUK7K13-60E	Dual N-channel 60 V, 10 mΩ standard level MOSFET	Production	在線購買樣品
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BUK7K17-60E	Dual N-channel 60 V, 14 mOhm standard level MOSFET	Production	在線購買樣品
BUK7K17-80E	Dual N-channel 80 V, 17 mΩ standard level MOSFET	Production	在線購買樣品
BUK7K18-40E	Dual N-channel 40 V, 19 mOhm standard level MOSFET	Production	在線購買樣品
BUK7K23-80E	Dual N-channel 80 V, 23 mΩ standard level MOSFET	Production	在線購買樣品
BUK7K25-40E	Dual N-channel 40 V, 25 mOhm standard level MOSFET	Production	在線購買樣品
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BUK7K32-100E	Dual N-channel 100 V, 27.5 mΩ standard level MOSFET	Production	在線購買樣品
BUK7K35-60E	Dual N-channel 60 V, 30 mOhm standard level MOSFET	Production	在線購買樣品
BUK7K3R7-40N	Dual N-channel 40 V, 3.7 mOhm standard level MOSFET in LFPAK56D	Production	在線購買樣品
BUK7K45-100E	Dual N-channel 100 V, 37.6 mΩ standard level MOSFET	Production	在線購買樣品
BUK7K52-60E	Dual N-channel 60 V, 45 mOhm standard level MOSFET	Production	在線購買樣品
BUK7K5R1-30E	Dual N-channel 30 V, 5.1 mOhm standard level MOSFET	Production	在線購買樣品
BUK7K5R6-30E	Dual N-channel 30 V, 5.1 mOhm standard level MOSFET	Production	在線購買樣品
BUK7K6R2-40E	Dual N-channel 40 V, 5.8 mOhm standard level MOSFET	Production	在線購買樣品
BUK7K6R8-40E	Dual N-channel 40 V, 6.8 mOhm standard level MOSFET	Production	在線購買樣品
BUK7K89-100E	Dual N-channel 100 V, 82.5 mΩ standard level MOSFET	Production	在線購買樣品
BUK7K8R7-40E	Dual N-channel 40 V, 8.5 mOhm standard level MOSFET	Production	在線購買樣品
BUK7V4R2-40H	Dual N-channel 40 V, 4.2 mOhm standard level MOSFET in LFPAK56D (half-bridge configuration)	Production	在線購買樣品
BUK9K12-60E	Dual N-channel 60 V, 11.5 mΩ logic level MOSFET	Production	在線購買樣品
BUK9K12-80L	Dual N-channel 80 V, 12 mOhm logic level MOSFET in LFPAK56D	Production	在線購買樣品
BUK9K13-40H	Dual N-channel 40 V, 13 mOhm logic level MOSFET in LFPAK56D	Production	在線購買樣品
BUK9K13-60E	Dual N-channel 60 V, 12.5 mOhm logic level MOSFET	Production	在線購買樣品
BUK9K13-60RA	Dual N-channel 60 V, 12.5 mOhm logic level MOSFET in LFPAK56D using Repetitive Avalanche technology	Production	在線購買樣品
BUK9K134-100E	Dual N-channel 100 V, 159 mΩ logic level MOSFET	Production	在線購買樣品
BUK9K17-60E	Dual N-channel 60 V, 17 mΩ logic level MOSFET	Production	在線購買樣品
BUK9K18-40E	Dual N-channel 40 V, 19.5 mOhm logic level MOSFET	Production	在線購買樣品
BUK9K20-80E	Dual N-channel 80 V, 20 mΩ logic level MOSFET	Production	在線購買樣品
BUK9K22-80E	Dual N-channel 80 V, 22 mΩ logic level MOSFET	Production	在線購買樣品
BUK9K25-40E	Dual N-channel 40 V, 29 mOhm logic level MOSFET	Production	在線購買樣品
BUK9K25-40RA	Dual N-channel 40 V, 29 mOhm logic level MOSFET in LFPAK56D using Repetitive Avalanche technology	Production	在線購買樣品
BUK9K29-100E	Dual N-channel TrenchMOS logic level FET	Production	在線購買樣品
BUK9K30-80E	Dual N-channel 80 V, 30 mΩ logic level MOSFET	Production	在線購買樣品
BUK9K31-100L	Dual N-Channel 100V, 31 mOhm logic level MOSFET in LFPAK56D	Production	在線購買樣品
BUK9K32-100E	Dual N-channel 100 V, 33 mΩ logic level MOSFET	Production	在線購買樣品
BUK9K35-100L	Dual N-channel 100 V, 35 mOhm logic level MOSFET in LFPAK56D	Production	在線購買樣品
BUK9K35-60E	Dual N-channel 60 V, 35 mΩ logic level MOSFET	Production	在線購買樣品
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BUK9K45-100E	Dual N-channel TrenchMOS logic level FET	Production	在線購買樣品
BUK9K49-80L	Dual N-channel 80 V, 49 mOhm logic level MOSFET in LFPAK56D	Production	在線購買樣品
BUK9K52-60E	Dual N-channel 60 V, 55 mΩ logic level MOSFET	Production	在線購買樣品
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BUK9K5R1-30E	Dual N-channel 30 V, 5.3 mOhm logic level MOSFET	Production	在線購買樣品
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BUK9K6R8-40E	Dual N-channel 40 V, 7.2 mOhm logic level MOSFET	Production	在線購買樣品
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BUK9K8R7-40E	Dual N-channel 40 V, 9.4 mOhm logic level MOSFET	Production	在線購買樣品
BUK9V13-40H	Dual N-channel 40 V, 13 mOhm logic level MOSFET in LFPAK56D (half-bridge configuration)	Production	在線購買樣品

MOSFETs

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BUK9K52-60RA	Dual N-channel 60 V, 55 mOhm logic level MOSFET in LFPAK56D using Repetitive Avalanche technology	Production	在線購買樣品
BUK9K5R1-30E	Dual N-channel 30 V, 5.3 mOhm logic level MOSFET	Production	在線購買樣品
BUK9K5R6-30E	Dual N-channel 30 V, 5.8 mOhm logic level MOSFET	Production	在線購買樣品
BUK9K61-100L	Dual N-channel 100 V, 61 mOhm logic level MOSFET in LFPAK56D	Production	在線購買樣品
BUK9K6R2-40E	Dual N-channel TrenchMOS logic level FET	Production	在線購買樣品
BUK9K6R8-40E	Dual N-channel 40 V, 7.2 mOhm logic level MOSFET	Production	在線購買樣品
BUK9K89-100E	Dual N-channel TrenchMOS logic level FET	Production	在線購買樣品
BUK9K8R7-40E	Dual N-channel 40 V, 9.4 mOhm logic level MOSFET	Production	在線購買樣品
BUK9V13-40H	Dual N-channel 40 V, 13 mOhm logic level MOSFET in LFPAK56D (half-bridge configuration)	Production	在線購買樣品
PSMN011-60HL	N-channel 60 V, 11.5 mOhm, logic level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technology	Production	在線購買樣品
PSMN012-60HL	N-channel 60 V, 12.5 mOhm, logic level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technology enhanced for repetitive avalanche	Production	在線購買樣品
PSMN013-40VLD	Dual N-channel 40 V, 13 mOhm logic level MOSFET in LFPAK56D (half-bridge configuration)	Production	在線購買樣品
PSMN013-60HL	N-channel 60 V, 12.5 mOhm, logic level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technology	Production	在線購買樣品
PSMN013-60HS	N-channel 60 V, 10 mOhm, standard level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technology	Production	在線購買樣品
PSMN014-40HLD	N-channel 40 V, 13.6 mOhm, logic level MOSFET in LFPAK56D using NextPowerS3 technology	Production	在線購買樣品
PSMN014-60HS	N-channel 60 V, 14 mOhm, standard level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technology	Production	在線購買樣品
PSMN025-100HS	N-channel 100 V, 24.5 mOhm, standard level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technology	Production	在線購買樣品
PSMN028-100HS	N-channel 100 V, 27.5 mOhm, standard level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technology	Production	在線購買樣品
PSMN029-100HL	N-channel 100 V, 29 mOhm, logic level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technology	Production	在線購買樣品
PSMN033-100HL	N-channel 100 V, 31 mOhm, logic level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technology	Production	在線購買樣品
PSMN038-100HS	N-channel 100 V, 37.6 mOhm, standard level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technology	Production	在線購買樣品
PSMN045-100HL	N-channel 100 V, 45 mOhm, logic level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technology	Production	在線購買樣品
PSMN4R2-40VSH	Dual N-channel 40 V, 4.2 mOhm standard level MOSFET in LFPAK56D (half-bridge configuration)	Production	在線購買樣品
PSMN6R1-40HL	N-channel 40 V, 7.2 mOhm, logic level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technology	Production	在線購買樣品
PSMN6R8-40HS	N-channel 40 V, 6.8 mOhm, standard level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technology	Production	在線購買樣品
PSMN8R0-40HL	N-channel 40 V, 9.4 mOhm, logic level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technology	Production	在線購買樣品
PSMN8R5-40HS	N-channel 40 V, 8.5 mOhm, standard level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technology	Production	在線購買樣品
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Documentation

文件名稱	標(biāo)題	類型	日期
AN11599.pdf	Using power MOSFETs in parallel	Application note	2016-07-13
LFPAK56D_SOT669_mk.png	plastic, single-ended surface-mounted package; 4 terminals; 4.9 mm x 4.45 mm x 1 mm body	Marcom graphics	2017-01-28
SOT1205.step	3D model for products with SOT1205 package	Design support	2017-06-30
nexperia_document_leaflet_LFPAK56D_factsheet_LR_201708.pdf	LFPAK56D the ultimate dual MOSFET	Leaflet	2017-08-17
Nexperia_package_poster.pdf	Nexperia package poster	Leaflet	2020-05-15
AN50004.pdf	Using power MOSFETs in DC motor control applications	Application note	2021-03-02
vp_LFPAK56D.zip	LFPAK56D MOSFETs	Value proposition	2024-10-04
AN50003.pdf	Driving solenoids in automotive applications	Application note	2025-04-09
AN11243.pdf	Failure signature of Electrical Overstress on Power MOSFETs	Application note	2025-09-08
AN50014.pdf	Understanding the MOSFET peak drain current rating	Application note	2025-09-08
AN90001.pdf	Designing in MOSFETs for safe and reliable gate-drive operation	Application note	2025-09-08
AN10273.pdf	Power MOSFET single-shot and repetitive avalanche ruggedness rating	Application note	2025-09-10
AN90059.pdf	Power MOSFET gate driver fundamentals	Application note	2025-09-10
TN00008.pdf	Power MOSFET frequently asked questions and answers	Technical note	2025-09-10
AN90003.pdf	LFPAK MOSFET thermal design guide	Application note	2025-09-30

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