Nexperia（原恩智浦標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品事業(yè)部）今天宣布推出全新Trench 9功率MOSFET系列，主要應(yīng)用于汽車行業(yè)。公司將低壓超結(jié)技術(shù)與先進(jìn)的封裝能力相結(jié)合，提供具備高性能和耐用性的器件。五年前，公司推出了世界上應(yīng)用范圍最廣、符合汽車行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的Power-SO8 MOSFET。目前，Nexperia正在擴(kuò)大這一產(chǎn)品組合，以包括超低RDS_(on)的器件，從而滿足眾多典型汽車應(yīng)用日益增長的高功率密度需求。全新Trench 9器件均符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，并在關(guān)鍵可靠性測試（包括溫度循環(huán)、高溫柵極偏壓、高溫反向偏壓和間歇運(yùn)行壽命）中超過了相應(yīng)國際汽車標(biāo)準(zhǔn)的兩倍。

LFPAK56E是Nexperia汽車應(yīng)用LFPAK封裝系列產(chǎn)品中的最新創(chuàng)新產(chǎn)品。LFPAK56E是受歡迎的LFPAK56封裝的增強(qiáng)版本，具有優(yōu)化的引線框架和封裝設(shè)計(jì)，可使RDS_(on)和功率密度提高30％。功率密度的這一改良使得Trench 9 LFPAK56 MOSFET可以用于以前只能使用D²PAK和D²PAK-7的應(yīng)用中，能夠顯著地節(jié)省PCB空間。

此外，與競爭技術(shù)相比，Nexperia的超結(jié)技術(shù)可提供更好的雪崩和SOA（安全操作區(qū)域）功能，確保關(guān)鍵器件即使在故障條件下仍然能夠生存。傳統(tǒng)上，大多數(shù)供應(yīng)商不太會推薦用于單次或重復(fù)雪崩應(yīng)用的TrenchMOS技術(shù)。然而，Trench 9技術(shù)是專門設(shè)計(jì)用于應(yīng)對苛刻的應(yīng)用和故障條件以提供卓越的單次和重復(fù)雪崩性能，而Nexperia的Trench 9 MOSFET數(shù)據(jù)手冊與公司以前所有的TrenchMOS系列產(chǎn)品一樣，包括單次和重復(fù)雪崩評級。

Nexperia的汽車MOSFET產(chǎn)品營銷經(jīng)理Norman Stapelberg評論道：“為了促進(jìn)自動駕駛，汽車制造商正在要求許多關(guān)鍵應(yīng)用（如動力轉(zhuǎn)向和制動）使用雙重冗余電路。一級子系統(tǒng)供應(yīng)商面臨的挑戰(zhàn)是將額外的電源組件添加到其模塊中，而不增加整體PCB或模塊尺寸。我們的Trench 9超結(jié)技術(shù)與我們的LFPAK56和LFPAK56E封裝能力的獨(dú)特組合使Nexperia具備性能和可靠性優(yōu)勢，并且減少占用空間。這樣，使客戶能夠添加雙重冗余所需的附加器件，而不會顯著增加總PCB面積。”

應(yīng)用包括用于動力轉(zhuǎn)向、傳輸控制、ABS、ESC、泵（水、油和燃料）、風(fēng)扇轉(zhuǎn)速控制、電池反接保護(hù)和DC/DC轉(zhuǎn)換器的有刷和無刷電機(jī)控制。目前處于樣品階段。

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